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产品展示
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| 品牌/产地： |
Toshiba Semiconductor and Storage |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-220-3 整包 |
| 产品编码： |
JR1406473 |
原厂一般交期： |
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| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Toshiba Semiconductor and Storage |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS |
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图片仅供参考
TK6A65D(STA4,Q,M) |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.11 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1050pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220SIS
-系列简介：
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| 本产品关键字：TK6A65D(STA4,Q,M), |
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