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产品展示
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品牌/产地: |
ON Semiconductor |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品编码: |
JR1405636 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
- |
最小包装数量: |
3000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
3000 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: ON Semiconductor |
规格描述: |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
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图片仅供参考
BSS123LT1G |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):100V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):170mA (Ta) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 100mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):20pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
-系列简介:
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本产品关键字:BSS123LT1G, |
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原厂料号 | 品牌 | 规格描述 |
BSS123LT1 |
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NTR1P02T3 |
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