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产品展示
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| 品牌/产地： |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-252-3，DPak（2 引线＋接片），SC-63 |
| 产品编码： |
JR1405485 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
PowerTrench® |
| 最小包装数量： |
2500 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
2500 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Fairchild Semiconductor |
| 规格描述： |
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
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图片仅供参考
FDD306P |
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详细类别：FET - 单
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.7A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 6.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1290pF @ 6V
功率 - 最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线＋接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3
PowerTrench®系列简介：
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| 本产品关键字：FDD306P, |
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