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道尚城大厦1101
产品展示
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品牌/产地: |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品编码: |
JR1405426 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
PowerTrench® |
最小包装数量: |
3000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
3000 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Fairchild Semiconductor |
规格描述: |
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 |
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图片仅供参考
FDN5618P |
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详细类别:FET - 单 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):60V 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.25A (Ta) 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 1.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250uA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 30V 功率 - 最大值:460mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-SSOT
PowerTrench®系列简介:
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本产品关键字:FDN5618P, |
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