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产品展示
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| 品牌/产地： |
Microsemi Power Products Group |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
SP6 |
| 产品编码： |
JR1405266 |
原厂一般交期： |
联系咨询 |
| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
10 |
 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
10 |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Microsemi Power Products Group |
| 规格描述： |
MOSFET N-CH 100V 495A SP6 |
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图片仅供参考
APTM10DAM02G |
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详细类别：FET - 模块
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：495A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 200A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：40000pF @ 25V
功率 - 最大值：1250W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP6
供应商器件封装：SP6
-系列简介：
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| 本产品关键字：APTM10DAM02G, |
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