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产品展示
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品牌/产地: |
Toshiba Semiconductor and Storage |
品牌来源: |
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产品分类: |
FET器件 |
封装/规格: |
SC-70,SOT-323 |
产品编码: |
JR1404658 |
原厂一般交期: |
联系咨询 |
包装/方式: |
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产品系列: |
- |
最小包装数量: |
3000 |
下载数据手册/封装库 |
最小订购数量: |
3000 |
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是否有库存: |
有库存 品牌关键字: Toshiba Semiconductor and Storage |
规格描述: |
JFET N-CH USM |
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图片仅供参考
2SK879-GR(TE85L,F) |
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详细类别:JFET(结点场效应 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 漏源极电压 (Vdss):- 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):2.6mA @ 10V 漏极电流 (Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8.2pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW
-系列简介:
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本产品关键字:2SK879-GR(TE85L,F), |
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