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产品展示
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| 品牌/产地： |
Fairchild Semiconductor |
品牌来源： |
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| 产品分类： |
FET器件 |
封装/规格： |
TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 产品编码： |
JR1404601 |
原厂一般交期： |
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| 包装/方式： |
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产品系列： |
- |
| 最小包装数量： |
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 下载数据手册/封装库 |
| 最小订购数量： |
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| 是否有库存： |
有库存 品牌关键字： Fairchild Semiconductor |
| 规格描述： |
JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
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图片仅供参考
J112 |
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详细类别：JFET（结点场效应
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
漏源极电压 (Vdss)：-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1uA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
电阻 - RDS（开）：50 欧姆
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率 - 最大值：625mW
-系列简介：
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| 本产品关键字：J112, |
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